Y de repente la capacidad base en los dispositivos móviles se multiplicó milagrosamente. Micron e Intel han anunciado hoy algo en lo que han estado trabajando juntas durante un largo periodo, el primer chip NAND de 128Gb, que llevará a los dispositivos de consumo como tablets, smartphones y SSDs a mayores cotas de almacenamiento en los próximos años. La nueva memoria NAND Flash de las dos compañías es el primero de su clase, al estar fabricado con tecnología de 20nm y alcanzar semejante densidad de almacenamiento, en formato MLC lo que debería hacerlo relativamente asequible. En la misma nota de prensa, ambas firmas han anunciado también un chip más humilde, de 64Gb también fabricado a 20nm, con la particularidad de estar producido en formato SLC, de modo que sería en general más fiable y tendría un mayor rendimiento que el encapsulado de 128Gb.
El nuevo módulo de alta densidad tiene el potencial de permitir hasta 1 Terabit — 128 Gigabytes — distribuidos en 8 chips empaquetados en un dispositivo del tamaño de la yema de un dedo, con hasta el doble de rendimiento que soluciones actuales de 64GB. La tecnología de 20nm utilizada para producir estas memorias desarrollada en conjunto por esta colaboración entre Intel y Micron llamada IM Flash Technologies, utiliza una nueva estructura de celdas — planar cell — que permite un escalado más agresivo que otras arquitecturas. El chip de 128Gb entra dentro de la especificación ONFI 3.0, lo que significa que es capaz de ofrecer un rendimiento excepcional (hasta 400MB/s según la descrpición de la especificación) y está preparado para los dispositivos de última generación.
Las versiones SLC de 64Gb ya han entrado en producción masiva, y en breve lo harán también los modelos de mayor capacidad, cuyas muestras comenzarán a ser enviadas a los principales fabricantes y ensambladores en enero. Con esto, IMFT espera una rápida transición hacia estas memorias el próximo año, con los primeros dispositivos emergiendo en la segunda mitad de 2012. Las ventajas de este nuevo chip, capaz de alcanzar los 333 MT/sson evidentes, pues ofrece una mayor densidad de almacenamiento en un área extremadamente pequeña, haciéndolo perfecto para todo tipo de productos para el mercado móvil, desde tablets hasta smartphones, que verían incrementada su capacidad base y el rendimiento del almacenamiento sin un cambio de formato para adaptarse al chip. Esta es también una pieza clave para el futuro de las unidades SSD, que se beneficiarían del menor coste de producción de la tecnología de 20nm.
Esto es sin duda algo muy beneficioso, incluso a corto plazo, para todos los consumidores, que podremos disfrutar de una mayor cantidad de almacenamiento y unas velocidades de transferencia superiores, al mismo tiempo que veremos como este baja progresivamente su precio de venta.
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