Memoria de “nanopuntos”, 100 veces más rápida que los chips de memoria actuales

Vamos con la innovación milagrosa de la semana. Un estudio conjunto de investigadores de Taiwán y la Universidad de Berkeley, California, han desarrollado un nuevo tipo de memoria basada en tecnología nanoscópica, que aseguran puede sobrepasar con mucha ventaja la velocidad de la memoria comercial del momento. Un informe sobre esta tecnología ha sido publicado en el magazine científico “Applied Physics Letters”, y detalla que este nuevo tipo de dispositivo utiliza una base de material sin conductividad eléctrica, integrando líneas horizontales de puntos de silicio aislados, cada uno de diámetro no superior a 3 nanómetros, que representan bits únicos de memoria. Sobre esta serie de puntos nanométricos de silicio se extiende una capa metálica que asiste como “interruptor”, cambiando el estado de cada uno de los puntos entre activo o inactivo cuando se aplica un laser verde durante una fracción de tiempo inferior al milisegundo.

La particularidad de esta nueva memoria basada en nanopuntos de silicio (Si-QD) es que el tiempo que se tarda en alternar el estado de los diminutos puntos de silicio a través de la puerta de control, escribiendo o eliminando cada bit, es inferior a 1 nanosegundo, lo que según los investigadores apunta a velocidades “entre 10 y 100 veces” más rápidas que las formas actuales de RAM. La memoria, de tipo no volatil, utiliza un voltaje operativo de 7 V, y tiene una gran resistencia al deterioro, al sustentar sin problemas numerosas transiciones entre los estados de los nanopuntos de silicio, evitando deformaciones, o la cristalización de estos.

Según Jia-Min Shieh, uno de los responsables del informe publicado e investigador involucrado en el proyecto, la estructura de compuerta metálica utilizada en el dispositivo concepto es la principal tecnología a utilizar para conseguir reducir la tecnología CMOS a nanoescala. El sistema, utiliza procesos y materiales compatibles con las tecnologías de circuito integrado actuales, de modo que podría ser producida en un futuro sin una inversión extraordinaria en equipamiento preparado, cumpliendo además con la línea de proceso para otros tipos de dispositivo. Esto implica que no sólo podría fabricarse a un coste asumible por la industria, sino que tampoco tendría una complicación extrema como otros tipo de tecnología en desarrollo. ¿Cuánto tiempo tardará en implementarse? Los dispositivos Si-QD NVM (Silicon Quantum-Dots Non-Volatile Memory) son todavía un proyecto a largo plazo, y sólo se ha comenzado a descrubrir su potencial. Diría que tenemos HDD y SDD para muchos años

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