Los investigadores de la Universidad de Purdue en Indiana, Estados Unidos, han conseguido un gran logro en el campo de la memoria para ordenador. La memoria Ferroeléctrica, o FeRAM ha estado en investigación durante largos años, consiguiendo avances significativos, pero nunca hasta ahora aplicables a la industria. Este tipo de RAM, en realidad similar a la actual DRAM, utiliza una capa de material ferroeléctrico para alcanzar un estado no volátil, de modo que no necesita alimentación continua para retener información, al contrario que la memoria utilizada hoy.
El descubrimiento de los investigadores americanos tiene el potencial de conseguir reducir drásticamente la cantidad de energía requerida por la memoria actual basada en NAND Flash, al mismo tiempo que, gracias a las propiedades intrínsecas a la FeRAM, se podría alcanzar un rendimiento muy superior. Pese a que el estudio se encuentra en una fase muy temprana, los investigadores han sido capaces de hacer una demostración de como esta tecnología funciona y puede ser desarrollada. Lo más interesante de esta tecnología, es que al tratarse de memoria no volátil, esta es capaz de almacenar información incluso después de que el dispositivo se haya apagado, y no reciba ningún tipo de corriente eléctrica, lo que permite que el consumo sea hasta un 99% inferiorincluso que la memoria NAND Flash. Y lo que es más, este nuevo tipo de DRAM ofrece, al menos en la teoría, un ancho de banda de 1.6 Gigabytes por segundo de velocidad tanto en lectura como escritura, alcanzando también una gran densidad de datos por chip. Más importante aún, esta tecnología es compatible con los procesos de fabricación de los semiconductores utilizados para producir los chips de memoria “tradicionales” lo que abriría la puerta a una producción en cadena en cuanto se alcance un estado estbable en el desarrollo de estos nuevos módulos, sin que esto suponga una inversión desorbitada en nuevos equipos y plantas de producción acomodadas para la nueva tecnología.
¿Qué implica este descubrimiento? básicamente dos cosas: primero, contamos con una memoria RAM capaz de mantenerse inalterada pese a no tener energía, con lo que podríamos despertar en apenas unos segundos cualquier ordenador desde un estado de suspensión profunda en la que no consuma ninguna batería, acelerando los sistemas. En segundo lugar, y como punto más importante, el estado no volátil de la FeRAM conseguirá, al consumir un 1% de la energía necesaria hoy en día para mantener activa la memoria RAM, una autonomía bastante superior en los futuros — y recalco futuros — dispositivos que incorporen este tipo de tecnología. Atentos a esta tecnología, pues en unos años estaremos hablando de ella de nuevo, pero de forma comercial.
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